MOSFET N-CH 500V 12A TO-3-3

International Rectifier

包装:管件,系列:HEXFET®,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):500V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:12A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:500 毫欧 @ 12A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):120nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2700pF @ 25V,功率 - 最大值:150W,安装类型:通孔,封装/外壳:TO-204AA，TO-3,供应商器件封装:TO-204AA（TO-3）

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